北京变温霍尔效应实验仪

变温霍尔效应实验仪  霍尔效应测定仪

型号：GH/HT-648

北京变温霍尔效应实验仪 型号：HT-648 霍尔效应的测量是开展半导体研究的重要方法。本机利用计算机的数据采集和处理在80K-400K温度范围内对霍尔系数和电导率的联合测量，进行半导体导电机制及散射机制的研究，并可确定半导体的一些基本参数，如导电类型、载流子浓度、迁移率、禁带宽度以及杂质电离能等。 主要技术指标 1．电磁铁 0-300mT连续可调 2. 励磁电源 0-5A连续可调 可自动换向 稳定性﹤±0.1% 3. 数字特斯拉计 0-2000mT 三位半数字显示 分辨率0.001 4. 恒流源输出 1mA 稳定性±0.1% 5. 数据采集系统霍尔电压测量zui小分辨率1uV 6. 温度变化测量范围 80-400K 7. 整套仪器由电磁铁系统、电源控制系统机箱、测量系统主机、恒温器四部分组成 8. 探头样品采用单晶锗片 
北京变温霍尔效应实验仪  型号：HT-648 霍尔效应的测量是开展半导体研究的重要方法。本机利用计算机的数据采集和处理在80K-400K温度范围内对霍尔系数和电导率的联合测量，进行半导体导电机制及散射机制的研究，并可确定半导体的一些基本参数，如导电类型、载流子浓度、迁移率、禁带宽度以及杂质电离能等。 主要技术指标 1．电磁铁 0-300mT连续可调 2. 励磁电源 0-5A连续可调 可自动换向 稳定性﹤±0.1% 3. 数字特斯拉计 0-2000mT 三位半数字显示 分辨率0.001 4. 恒流源输出 1mA 稳定性±0.1% 5. 数据采集系统霍尔电压测量zui小分辨率1uV 6. 温度变化测量范围 80-400K 7. 整套仪器由电磁铁系统、电源控制系统机箱、测量系统主机、恒温器四部分组成 8. 探头样品采用单晶锗片